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71V416S12BEG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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71V416S12PHG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V416S12BEG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V416S12PHG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416S12PHGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

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