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71V416S12YG中文资料PDF规格书

71V416S12YG
厂商型号

71V416S12YG

参数属性

71V416S12YG 封装/外壳为44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM

文件大小

645.53 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Integrated Device Technology, Inc.
企业简称

IDT集成器

中文名称

深圳市集成器件技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-15 18:30:00

产品属性

  • 产品编号:

    71V416S12YG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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IDT, Integrated Device Technol
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