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71V416S10YG8中文资料PDF规格书
产品属性
- 产品编号:
71V416S10YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
4Mb(256K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
10ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
67000 |
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Renesas |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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IDT |
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NA |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
44-SOJ |
56200 |
一级代理/放心采购 |
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Renesas Electronics America In |
24+ |
44-BSOJ(0.400,10.16mm 宽) |
9350 |
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