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UPA811	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA811T	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC4228SMALLMINIMOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA811T	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC811	文件：742.66 Kbytes Page：8 Pages	HighStability,LowOffsetVoltageJ-FETInputOperationalAmplifier FEATURES InputOffsetVoltage±1mV(TYP.)(±2.5mVMAX.) VIOTemperatureDrift±7μV/C(TYP.) InputBiasCurrent50pA(TYP.) SlewRate15V/μs(TYP.) UnityGainFrequency4MHz(TYP.) InputEquivalentNoiseVoltageDensity19nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) Stableoperationagain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC811	文件：391.72 Kbytes Page：10 Pages	J-FETINPUTLOW-OFFSETOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPC811operationalamplifieroffershighinput impedance,lowoffsetvoltage,highslewrate,and stableACoperatingcharacteristics.NEC'sunique high-speedPNPtransistor(fr-300MHz)intheoutput stagesolvestheoscillationproblemofcurrentsink- ingwithalargecapa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VS811	文件：798.24 Kbytes Page：2 Pages	8-ChannelSDI/ASIMultiplexer/Demultiplexer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
VS811-EO-SFP	文件：798.24 Kbytes Page：2 Pages	8-ChannelSDI/ASIMultiplexer/Demultiplexer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
VS811-OE-SFP	文件：798.24 Kbytes Page：2 Pages	8-ChannelSDI/ASIMultiplexer/Demultiplexer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

产品属性

产品编号：
TCM811RERCTR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
散装
类型：
简单复位/加电复位
电压 - 阈值：
2.63V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
供应商器件封装：
SOT-143
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT143

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