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AKM4550	文件：102.24 Kbytes Page：15 Pages	LOWPOWER&SMALLPACKAGE16BITCODEC GENERALDESCRIPTION TheAK4550isalowvoltage16bitA/D&D/Aconverterforportabledigitalaudiosystem.IntheAK4550,thelossofaccuracyformclockjitterisalsoimprovedbyusingSCFtechniquesforon-chippostfilter. Analogsignalinput/outputoftheAK4550aresingle-ended,ther	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
APM4550	文件：242.1 Kbytes Page：13 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel) Features ·N-Channel30V/7A, RDS(ON)=20mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=30mW(typ.)@VGS=4.5V ·P-Channel -30V/-5A, RDS(ON)=40mW(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=62mW(typ.)@VGS=-4.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDe	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
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APM4550KC-TRL	文件：242.1 Kbytes Page：13 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel) Features ·N-Channel30V/7A, RDS(ON)=20mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=30mW(typ.)@VGS=4.5V ·P-Channel -30V/-5A, RDS(ON)=40mW(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=62mW(typ.)@VGS=-4.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDe	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4550KC-TRL	文件：1.23698 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APT4550AN	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4550BN	文件：344.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4550CN	文件：297.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
B4550-E	文件：173.29 Kbytes Page：20 Pages	SYSDRIVE3G3HVSeries	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
BU4550AL	文件：20.28 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Enhancedperformance,newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfullpackenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceiversandp.cmonitors.Featuresexceptionaltolerancetobasedriveandcollecto	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
TCAN4550RGYT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 专用 IC
包装：
托盘
类型：
CAN FD 控制器
应用：
自动化
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
20-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
20-VQFN（3.5x4.5）
描述：
CAN FD CONTROLLER WITH INTEGRATE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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