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APM4550	文件：242.1 Kbytes Page：13 Pages	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features ·N-Channel30V/7A, RDS(ON)=20mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=30mW(typ.)@VGS=4.5V ·P-Channel -30V/-5A, RDS(ON)=40mW(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=62mW(typ.)@VGS=-4.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDe	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4550K	文件：242.1 Kbytes Page：13 Pages	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features ·N-Channel30V/7A, RDS(ON)=20mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=30mW(typ.)@VGS=4.5V ·P-Channel -30V/-5A, RDS(ON)=40mW(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=62mW(typ.)@VGS=-4.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDe	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4550KC-TRL	文件：242.1 Kbytes Page：13 Pages	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features ·N-Channel30V/7A, RDS(ON)=20mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=30mW(typ.)@VGS=4.5V ·P-Channel -30V/-5A, RDS(ON)=40mW(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=62mW(typ.)@VGS=-4.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDe	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4550KC-TRL	文件：1.23698 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APT4550AN	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4550BN	文件：344.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4550CN	文件：297.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
B4550-E	文件：173.29 Kbytes Page：20 Pages	SYSDRIVE3G3HVSeries	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
BU4550AL	文件：20.28 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Enhancedperformance,newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfullpackenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceiversandp.cmonitors.Featuresexceptionaltolerancetobasedriveandcollecto	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C4550	文件：410.23 Kbytes Page：4 Pages	OCXOSurfaceMountPackageOptionalReflowProcessCompatibleOptionalAT-CutandSC-CutCrystalOptionsLowProfileCompactPackage Stratum3E Features LowProfile,CompactPackage Stratum3EStability SC-CutCrystal TypicalApplications SONET/SDHTransmissionSystems	Vectron Vectron International, Inc	Vectron

详细参数

型号：
APM4550
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
Dual Enhancement Mode MOSFET(N- and P-Channel)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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