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TC58NS256DC	文件：709.63 Kbytes Page：33 Pages	TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M 짰8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) 256-MBIT (32M × 8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMedia™) DESCRIPTION The TC58NS256 is a single 3.3-V 256-Mbit (276,824,064) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes × 32 pages × 2048 blocks. The device has a 528-byte static regi 文件：709.63 Kbytes 页数：33 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NS256DC	文件：300 bytes Page：1 Pages	TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ®8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM)	Toshiba 东芝	Toshiba
TC58NVG0S3ETA00B3H	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-48	TOSHIBA 东芝上传：深圳市华来深电子有限公司	TOSHIBA
TC58NVG0S3HTA00	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	TOSHIBA 东芝上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	TOSHIBA
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型号：
TC58NS256DC
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT(32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM(32M BYTE SmartMediaTM)

更多TC58NS256DC供应商更新时间2021-9-16 14:01:00