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TC58NVG1S8BFT00	文件：315.36 Kbytes Page：37 Pages	TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 GBIT (256M × 8 BIT/128M × 16 BIT) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TC58NVG1SxB is a single 3.3 V 2 Gbit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes/(1024 + 32) words × 64 pages × 2048 blocks. The device has a 21 文件：315.36 Kbytes 页数：37 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVGOS3ETA00	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA TSSOP-48	TOSHIBA 东芝上传：深圳市宇创芯科技有限公司	TOSHIBA
TC58NYG0S3HBAI6	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA VFBGA67	TOSHIBA 东芝上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	TOSHIBA
TC58TEG5DCJTA00	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA TSOP48	TOSHIBA 东芝上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	TOSHIBA
TC58TEG6DDKTA00	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA NA	TOSHIBA 东芝上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	TOSHIBA

更多TC58NVG1S8BFT00供应商更新时间2025-10-10 15:07:00