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TC58NYG2S3ETA00

4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM

DESCRIPTION The TC58NYG2S3E is a single 1.8V 4 Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × 64 pages × 4096blocks. The device has two 2112-byte static registers which allow program and read data to be trans

文件:504.1 Kbytes 页数:70 Pages

TOSHIBA

东芝

TC58TEG5DCJTA00

TSOP48

TC58TEG6DDKTA00

NA

TC58V64AFT

TSOP

TC58V64AFTI

TSOP

详细参数

  • 型号:

    TC58NYG2S3ETA00

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    4GB SLC NAND(LARGE BLOCK/MIDDLE CAPACITY) - Rail/Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新原装现货
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更多TC58NYG2S3ETA00供应商 更新时间2025-11-30 8:01:00