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TC58NYG2S3ETA00	文件：504.1 Kbytes Page：70 Pages	4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM DESCRIPTION TheTC58NYG2S3Eisasingle1.8V4Gbit(4,429,185,024bits)NANDElectricallyErasableandProgrammable Read-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(2048+64)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehastwo2112-bytestaticregisterswhichallowprogramandreaddatatobetrans	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TC58NYG2S3ETA00

文件：504.1 Kbytes

Page：70 Pages

4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM

DESCRIPTION TheTC58NYG2S3Eisasingle1.8V4Gbit(4,429,185,024bits)NANDElectricallyErasableandProgrammable Read-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(2048+64)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehastwo2112-bytestaticregisterswhichallowprogramandreaddatatobetrans

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TC58NYG2S3ETA00
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
4GB SLC NAND(LARGE BLOCK/MIDDLE CAPACITY) - Rail/Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TC58NYG2S3ETA00供应商更新时间2025-6-1 8:01:00

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