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TC58NVG0S3HBAI4	文件：67.28 Kbytes Page：3 Pages	NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity) Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity. 文件：67.28 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG0S3HBAI4	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance 文件：868 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG0S3HBAI4	文件：2.51174 Mbytes Page：20 Pages	Flash Memory 文件：2.51174 Mbytes 页数：20 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TC58NVG0S3HBAI4	文件：456.02 Kbytes Page：52 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 文件：456.02 Kbytes 页数：52 Pages	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58NVG0S3HBAI4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND Capacity (bit)：1G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(2048+128)×8\nBlock size (bit)：(128K+8K)×8\nI/O (bit)：8\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 东芝	Toshiba
TC58NVG0S3HBAI4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58NVG0S3HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58NVG0S3HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京芯时代电子科技发展有限公司	TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba	21+	FBGA	1	价格以询价为主,东芝代理官网可查	询价
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更多TC58NVG0S3HBAI4供应商更新时间2025-10-4 8:00:00

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