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OPA4130UA	文件：698.4 Kbytes Page：16 Pages	LowPower,PrecisionFET-INPUTOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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PBSS4130QA	文件：265.63 Kbytes Page：17 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5130QA. Featuresandbenefits •Verylowcollector-	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4130QA	文件：743.72 Kbytes Page：17 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4130T	文件：169.83 Kbytes Page：8 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES ·Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ·HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ·Highefficiencyleadingtolessheatgeneration ·Reducedprinted-circuitboardrequirements ·CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecific applications. APPLICATIONS ·Power	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS4130T	文件：49.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5130T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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更多T4130P供应商更新时间2024-6-15 17:53:00

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