PBSS4130T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4130T |
| 参数属性 | PBSS4130T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
169.83 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-8 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4130T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4130T规格书详情
FEATURES
· Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
· High collector current capability IC and ICM
· High efficiency leading to less heat generation
· Reduced printed-circuit board requirements
· Cost effective alternative to MOSFETs in specific
applications.
APPLICATIONS
· Power management
– DC/DC conversion
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
· Peripheral driver
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs)
– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing
ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
PNP complement: PBSS5130T.
产品属性
- 产品编号：
PBSS4130T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 30V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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