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TS835	文件：164.65 Kbytes Page：5 Pages	TS135thurTS1235THYRISTORS TS135thurTS1235THYRISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD835	文件：203.31 Kbytes Page：6 Pages	ASYMMETRICALTHYRISTORTHYRISTORASYMETRIQUE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-835	文件：37.18 Kbytes Page：2 Pages	SUPPORTPRODUCTSFORMICROLINEARI.C.S	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
TSR835	文件：135.32 Kbytes Page：5 Pages	8ASchottkyRectifier	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
UPA835	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TC	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：208.74 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC835	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Inputoffsetvoltage±3mVMAX. •Slewrate5.5V/μsTYP. •Unitygainfrequency2.8MHzTYP. •LowpowerICC≤2.2mAMAX. (Reducescircuitcurrentswhilemaintainingrelativelyhighslewrateandbandwidth) •Highstabilityissecuredtocapacitiveloads (4000pF,AV=+1) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPS835L	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
T-835
制造商：
RHOMBUS-IND
制造商全称：
Rhombus Industries Inc.
功能描述：
Audio Transformer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	T835-400BTR	ST/意法	23+	SOT252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	T835-400BTR	ST	22+	SOT252	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	T835-400BTR	ST/意法	23+	SOT252	8000	只做原装现货	询价
深圳市外芯人半导体有限公司	T835-400BTR	ST	24+	SOT252	200000	原装进口正口,支持样品	询价
深圳瞄钧科技有限公司	T835-400BTR	ST	24+	SOT252	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
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