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UPS835L	文件：54.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 8 AMP 35 VOLT SURFACE MOUNT POWERMITE® 3 Surface Mount Power Package Features • Low Profile – Maximum height of 1.1 mm • Footprint Area of 16.51 mm • Low VF Provides Higher Efficiency • Supplied in 16mm Tape and Reel – 6000 units/reel • Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Ca 文件：54.62 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
UPS835L	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 8 AMP 35 VOLT 文件：488.19 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
UPS835L_01	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 8 AMP 35 VOLT 文件：488.19 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
UPS835L	文件：300 bytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 8 AMP 35 VOLT	Microchip 微芯科技	Microchip
UPS835LE3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Si Schottky Rectifier Diodes FeaturesPlastic PackageRuggedized Design	Microchip 微芯科技	Microchip
UPS835L/TR13	文件：300 bytes Page：1 Pages	Si Schottky Rectifier Diodes	Microchip 微芯科技	Microchip
UPS835L/TR13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Powermite®3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 35V 8A POWERMITE3	Microchip 微芯科技	Microchip
UPS835LE3/TR13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Powermite®3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 35V 8A POWERMITE3	Microchip 微芯科技	Microchip

详细参数

型号：
UPS835L
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 8A 35V POWERMITE3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

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更多UPS835L供应商更新时间2025-10-5 16:01:00

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