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TS835	文件：164.65 Kbytes Page：5 Pages	TS135 thur TS1235 THYRISTORS TS135thurTS1235THYRISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD835	文件：203.31 Kbytes Page：6 Pages	ASYMMETRICALTHYRISTORTHYRISTORASYMETRIQUE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSD-835	文件：37.18 Kbytes Page：2 Pages	SUPPORTPRODUCTSFORMICROLINEARI.C.S	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
TSR835	文件：135.32 Kbytes Page：5 Pages	8ASchottkyRectifier	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
UPA835	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TC	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：208.74 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA835TF	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC835	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Inputoffsetvoltage±3mVMAX. •Slewrate5.5V/μsTYP. •Unitygainfrequency2.8MHzTYP. •LowpowerICC≤2.2mAMAX. (Reducescircuitcurrentswhilemaintainingrelativelyhighslewrateandbandwidth) •Highstabilityissecuredtocapacitiveloads (4000pF,AV=+1) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPS835L	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
TS835
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
TS135 thur TS1235 THYRISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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