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SVSP14N65FJDD2规格书详情
描述 Description
SVSP14N65FJD/T/KD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP14N65FJD/T/KD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
：SVSP14N65FJDD2
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：650
- Id (A)Tc=25℃
：14
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (Ω)
：260
- Rds (on) @10Vmax (Ω)
：310
- Qg@10Vtyp (nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
25+ |
QFP48 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO220 |
38000 |
询价 | |||
冠坤电子 |
21+ |
10mm*12.5mm |
13 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
QFP48 |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
10000 |
原装正品优势供应 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
DFN |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Silan |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
QFP48 |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
3M |
新 |
17 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
