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SVSP14N65FJDD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVSP14N65FJDD2规格书详情
描述 Description
SVSP14N65FJD/T/KD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP14N65FJD/T/KD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
：SVSP14N65FJDD2
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：650
- Id (A)Tc=25℃
：14
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (Ω)
：260
- Rds (on) @10Vmax (Ω)
：310
- Qg@10Vtyp (nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SILAN(士兰微) |
23+ |
TO-220FJD-3L |
431 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
询价 | ||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
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21+ |
10mm*12.5mm |
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SAMSUNG/三星 |
25+ |
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996880 |
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TO-247-3L |
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24+ |
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10000 |
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询价 | ||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-220FJD-3L |
10560 |
询价 |
