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SVS7N65MJD2中文资料超结MOS功率管数据手册Silan规格书
SVS7N65MJD2规格书详情
描述 Description
SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。
此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。
特性 Features
• 7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SECOSGMBH |
24+ |
SOD-923 |
60000 |
询价 | |||
JST |
24+ |
CONNECTOR |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
VPT |
24+ |
N/A |
3600 |
原厂正规渠道、进口原装正品假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士 |
24+ |
TO-252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
JST |
23+ |
端子 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
DIP52 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
JST |
22+ |
NA |
58000 |
仓库现货,终端可送样品 |
询价 | ||
VPT |
23+ |
S/N |
1365 |
DC-DC电源模块 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
21+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
