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SVS7N60DD2数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVS7N60DD2

功能描述

超结MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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SVS7N60DD2规格书详情

描述 Description

SVS7N60F(FJ)(D)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVS7N60F(FJ)(D)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。



特性 Features

• 7A,600V, RDS(on)(typ.)=0.48W@VGS=10V 
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVS7N60DD2

  • 生产厂家

    :Silan

  • Polarity

    :N

  • Vdss (V)

    :600

  • Id (A)Tc=25℃

    :7

  • Vgs (th) (V)

    :2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (Ω)

    :480

  • Rds (on) @10Vmax (Ω)

    :580

  • Qg@10Vtyp (nC)

    :16

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