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SVS35N60P7数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVS35N60P7

功能描述

D-Well系列超级结高压MOSFET

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SVS35N60P7规格书详情

描述 Description

SVS35N60P7 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVS35N60P7应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。



特性 Features

• 35A,600V, RDS(on)(typ.)=83mW@VGS=10V 
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVS35N60P7

  • 生产厂家

    :Silan

  • Status

    :MP

  • Type

    :N

  • Process

    :D-Well

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :High Voltage

  • ESD Diode

    :No

  • Schottky Diode

    :NO

  • Schottky Type

    :NO

  • Package

    :TO-247

  • VGS

    :30

  • ID @25℃

    :35

  • PD @25℃

    :300

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :0.099

  • VGS[th]

    :2~4

  • Ciss

    :2746

  • Crss

    :3.7

  • Qg

    :70.1

  • Qgd

    :32.4

  • Td[on]

    :35.0

  • Td[off]

    :238.7

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