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SVS20N60FJ规格书详情
描述 Description
SVS20N60F/S/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS20N60F/S/T/PN/FJ应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SILAN(士兰微电子) |
2511 |
5904 |
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SILAN/士兰微 |
21+ |
原厂封装 |
18000 |
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SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-220FJ-3L |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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24+ |
N/A |
65000 |
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SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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杭州士兰 |
两年内 |
NA |
10570 |
实单价格可谈 |
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SILAN(士兰微) |
23+ |
TO-220F-3 |
1411 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
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Remington Industries |
19+ |
300 |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220F |
93000 |
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SILAN |
24+ |
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