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SVS11N65FJDD2规格书详情
描述 Description
SVS11N65FJDD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS11N65FJDD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
应用 Application
硬/软开关拓扑
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN(士兰微电子) |
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SILAN |
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SILAN(士兰微) |
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
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