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SVS11N65FJDD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVS11N65FJDD2

功能描述

D-Well系列超级结高压MOSFET

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:50:00

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SVS11N65FJDD2规格书详情

描述 Description

SVS11N65FJDD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVS11N65FJDD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。



特性 Features

• 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V 
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力

应用 Application

 硬/软开关拓扑 

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