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SVS11N65FJDD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVS11N65FJDD2规格书详情
描述 Description
SVS11N65FJDD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS11N65FJDD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
应用 Application
硬/软开关拓扑
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
SILAN |
2450+ |
TO-262-3L |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
90000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SILAN |
24+ |
con |
16 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
SL |
23+ |
TO220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-220F-3 |
10560 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
KST |
11917 |
DIP |
100000 |
全新、原装 |
询价 |