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SVS11N65FJHD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVS11N65FJHD2规格书详情
描述 Description
SVS11N65FJHD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS11N65FJHD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
：SVS11N65FJHD2
- 生产厂家
：Silan
- Status
：Sample
- Type
：N
- Process
：D-Well
- Configuration
：Single
- Popular Application
：High Voltage
- ESD Diode
：No
- Schottky Diode
：NO
- Schottky Type
：NO
- Package
：TO-220FJH-3L
- VGS
：30
- ID @25℃
：11
- PD @25℃
：35
- RDS[ON]@VGS=10v
：0.40
- VGS[th]
：2~4
- Ciss
：632
- Crss
：2.3
- Qg
：23.0
- Qgd
：11.0
- Td[on]
：12.0
- Td[off]
：64.0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SURGECOMPONENTS |
21+ |
NA |
2000 |
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询价 | ||
士兰微 |
24+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220F |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
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SMD |
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询价 | ||
SILAN |
2450+ |
TO-262-3L |
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询价 | ||
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
SILAN |
1706+ |
TO-220F |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士 |
24+ |
TO-252 |
39500 |
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询价 | ||
SILAN(士兰微电子) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
SILAN |
16 |
询价 |
