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SVS14N65FJ(F)(T)D2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVS14N65FJ(F)(T)D2规格书详情
描述 Description
SVS14N65FJ/F/TD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS14N65FJ/F/TD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
应用 Application
硬/软开关拓扑
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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