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SVSP10N80MJD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVSP10N80MJD2规格书详情
描述 Description
SVSP10N80F(D)(MJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP10N80F(D)(MJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 10A,800V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
25+ |
QFP48 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO220F |
15000 |
只做全新原装正品现货 假一罚十 |
询价 | ||
3M |
新 |
17 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
QFP48 |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
询价 | ||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
询价 | |||
SAMSUNG |
16+ |
QFP |
1052 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
QFP48 |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
询价 | ||
SILAN(士兰微电子) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Silan |
25+ |
TO-247 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-220FJD-3L |
10560 |
询价 |
