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SVS7N70MJD2规格书详情
描述 Description
SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。
此外，SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。
特性 Features
• 7A,700V, RDS(on)(typ.)=0.52W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
：SVS7N70MJD2
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：700
- Id (A)Tc=25℃
：7
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (Ω)
：520
- Rds (on) @10Vmax (Ω)
：600
- Qg@10Vtyp (nC)
：18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SECOSGMBH |
24+ |
NA/ |
7413 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
SECOSGMBH |
25+ |
SOD-923 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SMA |
25+ |
DIP52 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
JST |
22+ |
NA |
58000 |
仓库现货,终端可送样品 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
55000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
DIP52 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-251 |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
JST |
23+ |
端子 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
