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SVSP11N70MJD2数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVSP11N70MJD2

功能描述

超结MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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SVSP11N70MJD2规格书详情

描述 Description

SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。

特性 Features

• 11A,700V, RDS(on)(typ.)=0.37W@VGS=10V 
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVSP11N70MJD2

  • 生产厂家

    :Silan

  • Status

    :sample

  • Type

    :N

  • Process

    :D-Well

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :High Voltage

  • ESD Diode

    :No

  • Schottky Diode

    :NO

  • Schottky Type

    :NO

  • Package

    :TO-251J-3L

  • VGS

    :30

  • ID @25℃

    :11

  • PD @25℃

    :130

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :0.42

  • VGS[th]

    :2~4

  • Ciss

    :673

  • Crss

    :2.3

  • Qg

    :24.0

  • Qgd

    :12.0

  • Td[on]

    :14.0

  • Td[off]

    :70.0

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