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SVSP11N70MJD2规格书详情
描述 Description
SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 11A,700V, RDS(on)(typ.)=0.37W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
:SVSP11N70MJD2
- 生产厂家
:Silan
- Status
:sample
- Type
:N
- Process
:D-Well
- Configuration
:Single
- Popular Application
:High Voltage
- ESD Diode
:No
- Schottky Diode
:NO
- Schottky Type
:NO
- Package
:TO-251J-3L
- VGS
:30
- ID @25℃
:11
- PD @25℃
:130
- RDS[ON]@VGS=10v
:0.42
- VGS[th]
:2~4
- Ciss
:673
- Crss
:2.3
- Qg
:24.0
- Qgd
:12.0
- Td[on]
:14.0
- Td[off]
:70.0
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
25+ |
QFP48 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
QFP48 |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
10000 |
原装正品优势供应 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
DFN |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
冠坤电子 |
21+ |
10mm*12.5mm |
13 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
25+ |
QFP |
6500 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO220F |
15000 |
只做全新原装正品现货 假一罚十 |
询价 | ||
3M |
新 |
17 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
QFP48 |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
询价 | ||
Silan |
23+ |
TO-247 |
2795 |
现货库存,实单请给接受价格 |
询价 |