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SVSP11N65TD2中文资料D-Well系列超级结高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVSP11N65TD2规格书详情
描述 Description
SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
技术参数
- 制造商编号
：SVSP11N65TD2
- 生产厂家
：Silan
- Status
：sample
- Type
：N
- Process
：D-Well
- Configuration
：Single
- Popular Application
：High Voltage
- ESD Diode
：No
- Schottky Diode
：NO
- Schottky Type
：NO
- Package
：TO-220-3L
- VGS
：30
- ID @25℃
：11
- PD @25℃
：92
- RDS[ON]@VGS=10v
：0.40
- VGS[th]
：2~4
- Ciss
：632
- Crss
：2.3
- Qg
：23.0
- Qgd
：11.0
- Td[on]
：12.0
- Td[off]
：64.0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
询价 | |||
BGA |
40 |
询价 | |||||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO220F |
15000 |
只做全新原装正品现货 假一罚十 |
询价 | ||
冠坤电子 |
21+ |
10mm*12.5mm |
13 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
SILAN |
22+ |
PDFN8 |
621 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SILAN(士兰微) |
23+ |
TO-220FJD-3L |
431 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
询价 | ||
3M |
2022+ |
13 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
QFP48 |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-247-3L |
10000 |
原装正品优势供应 |
询价 |
