SVF6N60D数据手册Silan中文资料规格书
SVF6N60D规格书详情
描述 Description
SVF6N60F/D/FQ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF6N60D
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：600
- Id (A)Tc=25℃
：6
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：1.35
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：1.5
- Qg@10Vtyp (nC)
：13.32
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
24+ |
NA/ |
4176 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
士兰微 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
SILAN/士兰微全新特价SVF6N60D即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
SILAN(士兰微) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
询价 | ||
士兰微 |
21+ |
TO-252 |
856000 |
询价 | |||
SILAN |
24+ |
TO-252-2L |
18800 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
23+ |
TO252 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
士兰微 |
21+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 |
