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SVF4NE65MJ中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF4NE65MJ规格书详情
描述 Description
SVF4NE65MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A，650V，RDS(on)(典型值)=2.3Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
LFBGA364 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FREESCALE |
25+ |
BGA-364 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
LFBGA-364 |
8675 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
FREESCALE |
17+ |
BGA364 |
130 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
恩XP |
2021+ |
LFBGA-364(17x17) |
499 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO252 |
9000 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
