SVF4N65RD中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF4N65RD规格书详情
描述 Description
SVF4N65RD/M/MJ/F/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF4N65RD
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：650
- Id (A)Tc=25℃
：4
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：2.3
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：2.7
- Qg@10Vtyp (nC)
：13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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24+ |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
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SILAN/士兰微 |
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TO-252-2L |
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SILAN |
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优势库存,原装正品 |
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SILAN |
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SILAN/士兰微 |
21+ |
TO252 |
15000 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO252 |
100000 |
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Silan/士兰微 |
21+ |
TO-252-2L |
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SILAN |
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