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SVF4N60RD-TR数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVF4N60RD-TR

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SVF4N60RD-TR

  • 生产厂家

    :Silan

  • 漏源电压(Vdss)

    :600V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :2.4 Ω @ 2A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :77W(Tc)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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