SVF4N90T中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF4N90T规格书详情
描述 Description
SVF4N90F/MJ/T/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A，900V，RDS(on)(典型值)=2.7Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF4N90T
- 生产厂家
：Silan
- Status
：MP
- Type
：N
- Process
：F-cell
- Configuration
：Single
- Popular Application
：High Voltage
- ESD Diode
：No
- Schottky Diode
：No
- Schottky Type
：NO
- Package
：TO-220F-3L
- VGS
：30
- ID @25℃
：2~4
- PD @25℃
：4
- RDS[ON]@VGS=10v
：150
- VGS[th]
：3.50
- Ciss
：707.30
- Crss
：3.00
- Qg
：16.90
- Qgd
：7.59
- Td[on]
：14.80
- Td[off]
：39.10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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LFBGA364 |
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恩XP |
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SILAN/士兰微 |
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恩XP |
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