丝印：SVF4N90T；Package：TO-220-3L；4A, 900V N-CHANNEL MOSFET

GENERAL DESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance

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SILAN

士兰微

平面高压MOS功率管

SVF4N90F/MJ/T/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，900V，RDS(on)(典型值)=2.7Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

900V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL MOSFET

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UTC

友顺

4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电