SVF5N65F数据手册Silan中文资料规格书
SVF5N65F规格书详情
描述 Description
SVF5N65D/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 5A,650V,RDS(on)(典型值)= 2.1Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF5N65F
- 生产厂家
:Silan
- Polarity
:N
- Vdss (V)
:650
- Id (A)Tc=25℃
:5
- Vgs (th) (V)
:2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
:2.1
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
:2.5
- Qg@10Vtyp (nC)
:13.63
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
士兰微 |
24+ |
TO220F-3L |
38520 |
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询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2023+ |
TO220F |
582000 |
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SILAN/士兰微 |
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TO220F |
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SILAN(士兰微电子) |
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TO-220F |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
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士兰微 |
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TO-220F |
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SILAN/士兰微 |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220F |
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