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SVF6N60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面高压MOS功率管 SVF6N60F/D/FQ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SVF6N60D	文件：1.43512 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.43512 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SW6N60	文件：515.75 Kbytes Page：5 Pages	N-channel MOSFET 文件：515.75 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW6N60D	文件：856.89 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-251N MOSFET 文件：856.89 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW6N60K	文件：618.11 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET 文件：618.11 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

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深圳市凌旭科技有限公司	SVF6N60D	士兰微	21+	TO-252	856000		询价

更多SVF6N60D供应商更新时间2025-10-10 11:21:00