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SUP60N06	文件：72.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET 175 °C Rated Maximum Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFETs Product Summary V(BR)DSS 60 V rDS(on) 0.018 Ω ID 60 A 文件：72.47 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP60N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SUP60N06-12P	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectifier • Power Supplies 文件：168.34 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP60N06-12P	文件：332.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 12mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：332.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP60N06-12P-E3	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectifier • Power Supplies 文件：168.34 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP60N06-12P-GE3	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectifier • Power Supplies 文件：168.34 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP60N06-18	文件：333.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP60N06-18	文件：72.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET 175 °C Rated Maximum Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFETs Product Summary V(BR)DSS 60 V rDS(on) 0.018 Ω ID 60 A 文件：72.47 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP60N06-12P-GE3	文件：981.3 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：981.3 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUP60N06-18-E3	文件：981.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：981.31 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
SUP60N06
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N-Channel 60-V(D-S), 175C MOSFET

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