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SUP60N06-12P-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21    Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectifier • Power Supplies

文件:168.34 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SUP60N06-12P-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:981.3 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUP90N04-3M3P-GE3

VISHAY
NA

VishayVishay Siliconix

威世

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

SUP90N08-4M8P-E3

VISHAY
NA

VishayVishay Siliconix

威世

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

SUP90N08-7M7P-E3

VISHAY
NA

VishayVishay Siliconix

威世

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SUP60N06-12P-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Siliconix / Vishay
2022+
1
全新原装 货期两周
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VBSEMI/台湾微碧
23+
TO220
50000
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TO220
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Vishay Siliconix
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VBsemi
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TO220
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更多SUP60N06-12P-GE3供应商 更新时间2025-10-13 9:52:00