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SUP60N06-12P-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21   Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUP60N06-12P-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SUP60N06-12P-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Siliconix / Vishay
2022+
1
全新原装 货期两周
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VBSEMI/台湾微碧
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO220
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Vishay Siliconix
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VBsemi
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VBSEMI/台湾微碧
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TO220
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更多SUP60N06-12P-GE3供应商 更新时间2025-7-22 9:50:00