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SUP60N06-12P-GE3	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SUP60N06-12P-GE3

文件：168.34 Kbytes

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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SUP60N06-12P-GE3

文件：981.3 Kbytes

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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SUP60N06-12P-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SUP60N06-12P-GE3供应商更新时间2025-7-25 9:50:00

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