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SUP60N06-18

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET 175 °C Rated Maximum Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFETs Product Summary    V(BR)DSS   60 V    rDS(on)    0.018 Ω    ID         60 A

文件:72.47 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SUP60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:333.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUP60N06-18-E3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:981.31 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:277.1 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:306.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB60N06-18

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:883.99 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    SUP60N06-18

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUP60N06-18供应商 更新时间2025-10-11 16:01:00