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SUP60N06-18

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary   V(BR)DSS  60V   rDS(on)   0.018Ω   ID        60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUP60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUP60N06-18-E3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

60N06-18

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUB60N06-18

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUB60N06-18

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SUB60N06-18

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary   V(BR)DSS  60V   rDS(on)   0.018Ω   ID        60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SUP60N06-18

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUP60N06-18供应商 更新时间2025-7-21 16:00:00