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SUB60N06-18 | N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary V(BR)DSS 60V rDS(on) 0.018Ω ID 60A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SUB60N06-18 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
SUB60N06-18 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary V(BR)DSS 60V rDS(on) 0.018Ω ID 60A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUB60N06-18
- 功能描述：
MOSFET 60V 60A 120W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIL |
SOT263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
501564 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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24+ |
TO-263 |
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TO-263 |
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24+ |
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原装现货/欢迎来电咨询 |
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VISHAY |
2022 |
TO-263 |
1600 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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