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SUB75P03-07-E3	文件：115.13 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：115.13 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SUB75P03-07-E3	文件：864.37 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：864.37 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SUB75P03-07-E3
功能描述：
MOSFET 30V 75A 187W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SUB75P03-07-E3供应商更新时间2025-10-4 15:30:00

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