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SUB70N03-09BP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:306.92 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB70N03-09BP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB70N03-09BP

N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

文件:48 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB70N03-09BP

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET PWM Optimized

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SUB70N03-09BP

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 70A 93W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SUB70N03-09BP供应商 更新时间2025-12-10 17:47:00