选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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VISHAY (SILICONIX) |
17 |
0611 |
公司优势库存 热卖中! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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SILICONIXTO-263 |
6230 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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VHYD2PAK/TO-263 |
1600 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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SUB75N06-08-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SUB75N06-08-E3功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube