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SUP60N06-12P	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60N06-12P	文件：332.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUP60N06-12P-E3	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60N06-12P-GE3	文件：168.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectifier •PowerSupplies	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60N06-12P-GE3	文件：981.3 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SUP60N06-12P
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
N-Channel 60-V(D-S) MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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