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SUP18N15-95	文件：44.09 Kbytes Page：5 Pages	N - Channel 150 - V (D-S) 175C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：44.09 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SUP18N15-95	文件：333.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 95mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP18N15-95	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SUP90N04-3M3P-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SUP18N15-95
功能描述：
MOSFET 150V 18A 88W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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