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SUP50N03-5M1P-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Power Supply - Secondary Synchronous Rectification • DC/DC Converter

文件:182.58 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SUP50N03-5M1P-GE3

N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.13698 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUP90N04-3M3P-GE3

VISHAY
NA

VishayVishay Siliconix

威世

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

SUP90N08-4M8P-E3

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上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

SUP90N08-7M7P-E3

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上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SUP50N03-5M1P-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUP50N03-5M1P-GE3供应商 更新时间2025-10-13 16:25:00