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SUD50N03-07AP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=81A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUD50N03-07AP

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUD50N03-07

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUD50N03-07

N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUU50N03-07

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SUY50N03-07AP

N-Channel30-VD-S175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SUD50N03-07AP

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 25A 88W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUD50N03-07AP供应商 更新时间2025-5-5 15:30:00