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SUD50P04-08-GE3

文件：823.34 Kbytes

Page：5 Pages

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-40V,ID=-40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

SUD50P04-08-GE3

文件：1.0784 Mbytes

Page：9 Pages

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SUD50P04-08-GE3

文件：172.51 Kbytes

Page：8 Pages

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
SUD50P04-08-GE3
功能描述：
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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