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SUU50N03-07

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:996.25 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUU50N03-07

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay

威世

SUY50N03-07AP

N-Channel 30-V D-S 175C MOSFET

文件:47.53 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N03-07

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

文件:60.39 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N03-07

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:298.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUD50N03-07AP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 81A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:318.66 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    SUU50N03-07

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUU50N03-07供应商 更新时间2026-2-9 15:30:00