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SUD50N03-11	文件：298.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SUD50N03-11

文件：298.85 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SUD50N03-11

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N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SUD50N03-11
功能描述：
MOSFET 30V 50A 62.5W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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