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STY100NS20FD	文件：260.209 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET Description UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofPowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(ON)perarea,e	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STY100NS20FD	文件：364.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.024Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STY100NS20FD	文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STY100NS20FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY™ Power MOSFET;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STY100NS20FD_06	文件：232.19 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STY100NS20FD
功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 100 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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